光刻胶与紫外线的关系

紫外光深入参与了半导体制造过程中光刻胶的曝光步骤。曝光工艺是将光刻胶曝光并将设计的图案转移到基板上的重要步骤。紫外线改变光刻胶的分子结构并改变曝光区域的溶解度，形成电路图案。用于曝光的紫外线有多种波长，但常用的是以下类型：

i 线 (365 nm)：当不需要非常精细的图案时使用。

KrF 线 (248 nm)：适合需要高分辨率的情况。

ArF 线 (193 nm)：需要更高分辨率时使用。

极紫外光（13.5 纳米）：采用jian端微加工技术，实现ji高的分辨率

紫外线的波长越短，可以形成的图案分辨率越高。