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更新时间:2026-05-18
浏览次数:20电压越高:离子冲击力越强
优点:研磨速度快、硬材料好磨
缺点:易产生离子注入、表层损伤、样品发热,软材料容易烧糊
电压越低:冲击力柔和
优点:表层无损伤、平整度高,适合 EBSD、薄膜、塑料、锂电材料
缺点:研磨很慢
电流大:束量大,去除速度快,易出现研磨不均、表面粗糙
电流小:束流细腻,表面更光滑,制样质量高,效率偏低
角度越小(10°~20°):浅角度削抛,表面Ji致平整,适合平面抛光
角度越大(30°~45°):切削力强,快速切截面,适合做断面
角度过大:容易打崩脆性样品(陶瓷、玻璃)
转速快:研磨均匀,无阴阳面、无条纹
转速慢:局部轰击久,容易出现深浅不一、弧形凹面
不转:样品单侧过度研磨,截面歪斜
真空达标:离子束笔直稳定,研磨均匀、无白雾、无污染
真空不足:离子散乱、能量衰减,磨不动、表面发雾、制样报废
气压偏高:离子多、束散,表面粗糙
气压偏低:离子少、效率低,研磨极慢
气压适中:束流稳定,光洁度最好
冷却好:无热变形、无碳化、无裂纹,高分子、电池材料不变形
无冷却:样品发烫,树脂融化、塑料起泡、金属产生热应力层
时间不足:划痕、机械损伤没抛掉
时间过长:过研磨,表层结构被打坏、尺寸跑偏
单枪:适合简易截面,单侧研磨
双 / 三枪:quan方位均匀轰击,大样品平面平整度大幅提升