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不同类型的干式真空泵的适用场景有哪些

更新时间:2026-06-05      浏览次数:12

一、多级爪式干泵(荏原 EV-SA/EV-A/EV-S/EV-X)

极限真空:0.3~1Pa、小型风冷居多、洁净优先、可耐受微量粉尘

适用场景

  1. 半导体洁净轻制程

    Load-Lock 晶圆传送腔、PVD 溅射腔体预抽、离子注入机前级、晶圆电镀设备、半导体检测机台;

  2. 实验室 & 精密仪器

    SEM 扫描电镜、质谱仪 (GC-MS/LC-MS)、小型镀膜机、高校真空实验、冷冻干燥;

  3. 小产能泛半导体

    MiniLED 封装、小型研发 PECVD、光学镀膜。

选型口诀:洁净小腔体、少腐蚀、空间小→选爪式风冷 EV-SA

二、罗茨干式干泵(荏原 EV-M 系列,多级罗茨转子、水冷、超大抽速)

极限真空 1~5Pa、大流量、快速抽空、重载工况、单台抽速跨度极大

适用场景

  1. 半导体重载量产制程

    HDP 高密度刻蚀、PECVD/LPCVD、ALD 原子层沉积、RTP 快速退火、扩散炉、大腔体 CVD 粗抽;适配大量工艺尾气 (SF₆、O₂、卤化物);

  2. 面板 / 光伏大产线

    LCD/OLED 面板镀膜、HJT 管式 PECVD、硅片烧结炉整线抽气;

  3. 化工量产

    真空蒸馏、大型真空热处理炉、大容量负压反应釜。

选型口诀:大腔体、大排气量、快速破真空→EV-M 罗茨干泵

三、变螺距螺杆干泵(荏原 EST/ESA 防腐螺杆)

极限 0.3~0.5Pa、耐强腐蚀、耐高温、抗水汽 / 粘稠反应物、可全腔体 PTFE 防腐涂层

适用场景

  1. 强腐蚀半导体工艺

    MOCVD 外延、SiC/GaN 第三代半导体刻蚀、含 HF/HBr/Cl₂卤化气体制程、干法去胶灰化(大量腐蚀副产物);

  2. 精细化工 / 医药

    原料药真空浓缩、溶剂回收、易燃易爆有机气体抽取;

  3. 锂电 / 新材料

    负极材料烧结、电解液负压脱水。

选型口诀:强酸腐蚀、高水汽、粘稠粉尘多→EST 螺杆防腐款

四、涡旋干式干泵(微型小功率,市面小型国产 / 进口)

极限 1~3Pa、体积最小、静音、微型风冷、抽速偏小

适用场景

台式小型实验机、小型检漏仪、微型镀膜、实验室小腔体,半导体产线极少使用

半导体工艺选型速查表

表格
工艺优选泵型荏原对应型号工况特点
Load-Lock、PVD 前级爪式风冷EV-SA20/30洁净、间歇启停、小抽速
量产刻蚀、常规 CVD罗茨干式EV-M202/302大流量、多工艺气体
MOCVD、强腐蚀刻蚀防腐螺杆EST-WN卤气、高腐蚀、高温
实验室、电镜设备微型爪泵EV-A10安装紧凑、无需水冷

补充搭配逻辑

  1. 超高真空机组:干泵(前级预抽)+ 分子泵,PVD / 离子注入可达

  2. 恶劣粉尘工况:螺杆 / 罗茨 + 前置除尘 + 氮气反吹;洁净轻载优先爪式风冷。


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