什么是半导体应变片

核心原理：压阻效应

二、基本结构

1. 敏感栅：掺杂单晶硅条（P 型硅、N 型硅），核心受力传感部分；

2. 基底：环氧树脂、陶瓷，承载硅条，隔离被测构件；

3. 引线电极：金属蒸镀电极，引出电阻信号；

4. 保护层：防潮、防机械损伤涂层。

三、关键性能特点

优点

1. 灵敏度高：灵敏系数（GF）50～200，金属应变片仅 2～3，相同受力输出信号大几十倍，可简化放大电路；

2. 体积微小，可微型化，适合狭小空间、微型传感器；

3. 频响好，适合动态、高频振动测量。

缺点

1. 温度漂移极大：半导体电阻率随温度变化剧烈，温漂远大于金属应变片，必须配套温度补偿电路；

2. 非线性明显：电阻变化与应变不是wan美线性，大应变下误差大；

3. 易受应力、光照影响，稳定性、重复性弱于金属应变片；

4. 脆性大，不能承受过大拉伸、冲击。