富士 HYM-03 计量泵在半导体行业核心应用优势

一、三重凸轮无脉动输出，杜绝晶圆涂层条纹、气泡缺陷（半导体最核心优势）

1. du创三联柱塞 + 六段特殊凸轮结构，三根柱塞交替吸排，任意时刻总流量恒定，全区间脉动≤0.5%，无需加装缓冲罐即可平稳供液；

2. 传统隔膜泵、单柱塞泵存在周期性流量脉冲，涂布时会造成晶圆膜厚波浪纹、色差、局部气泡，直接降低良率；HYM-03 wan全消除脉冲冲击；

3. 吸排流速均衡，大幅降低气蚀概率，输送光刻胶、显影液、剥离液等高精密介质时，不会产生微气泡，满足 8/12 寸gao端晶圆狭缝涂布工艺要求。

二、±0.1% 超高计量精度，膜厚 / 药剂配比长期稳定可控

1. 柱塞、阀座全部微米级精密加工，整机重复计量精度 **≤±0.1% FS**，远高于普通计量泵 ±1%~±2% 精度标准；

2. 流量与电机转速严格线性正比，不受出口压力波动、介质粘度变化干扰：

• 涂布管路压力波动、光刻胶批次粘度差异，不会改变实际输出流量；

• PCB 蚀刻线在线补加蚀刻液、锂电池电解液微量配比时，配方摩尔比恒定，批次一致性大幅提升；

3. 长期 24h 连续运行精度漂移极小，阀球平缓启闭，磨损慢，无需频繁校准，适配半导体产线不间断生产。

三、微量高压适配，覆盖半导体全高压微量流体工况

1. 标准耐压 98bar，可选高压版本最高250bar，适配光刻高压涂布、微通道电解液高压混合、燃烧式半导体测试台高压供油；

2. 流量区间 15.3mL/min 以内，专为微量精密输送设计，对比大流量 HYM-06/08，小流量下控制分辨率更高，适合实验室小试、中试涂布线、IVD 微量试剂分装；

3. 高粘度介质（50–5000cps 光刻胶、导电银浆）输送无断流、丢量，机械同步柱塞回吸无延迟，高粘度流体输送稳定性远超蠕动泵。

四、多材质洁净接液方案，兼容半导体各类腐蚀 / 高纯介质

1. SUS316 电解抛光不锈钢：洁净度高、易清洗，适配显影液、清洗液、缓冲液，满足无尘车间洁净标准；

2. 哈氏合金 Hastelloy：耐氯离子、强腐蚀蚀刻液，PCB 蚀刻产线补加盐酸、氯化铜专用，避免泵体腐蚀析出金属杂质造成线路短路缺陷；

3. PTFE/PEEK 非金属泵头：惰性无金属析出，适配锂电池无水电解液、光刻胶、有机剥离液、厌氧敏感试剂，杜绝离子污染晶圆；

4. 全结构wusi角，可离线高温灭菌、整机拆洗，适配半导体无尘、高纯流体管控要求。

五、适配厌氧 / 敏感化学品，适配半导体特种工艺介质

1. 柱塞机械回吸结构无隔膜、无软管，不存在蠕动泵软管溶出、隔膜泵隔膜溶胀污染问题；

2. 可配套气体吹扫、保温夹套选配件，输送遇水易分解电解液、光敏光刻胶时，隔绝空气、控温防变质；

3. 无弹性耗材老化损耗，相比蠕动泵需定期更换软管、隔膜泵定期换隔膜，长期运维成本更低，减少产线停机维护频次。

六、伺服联动易集成，适配半导体自动化产线

1. 支持伺服电机闭环调速，多台 HYM-03 可同步联动，实现光刻胶与稀释剂、电解液溶剂与锂盐精准多路配比；

2. 体积小巧，可直接集成涂布机、微反应设备、PCB 自动蚀刻线、晶圆清洗设备内部，节省无尘车间安装空间；

3. 输出流量线性可控，可通过 PLC 精准微调，适配不同厚度晶圆、不同涂布速度的工艺切换，工艺参数可固化复用。

对比传统泵型在半导体的短板（凸显 HYM-03 优势）

1. 蠕动泵：软管易老化溶出、精度差、脉冲大、无法高压，仅能低压低精度加料；

2. 机械隔膜泵：脉冲严重、隔膜溶出杂质、高压下隔膜易破损，不适合gao端晶圆涂布；

3. 普通单柱塞泵：流量脉动ji强，必须配大型缓冲罐，占用洁净间空间，气泡缺陷多；

4. 齿轮泵：高粘度胶液易磨损齿轮，金属碎屑污染光刻胶，精度漂移大。

半导体典型工艺落地价值总结

• 晶圆狭缝涂布：膜厚公差缩小至 ±0.02μm，涂层无条纹气泡，晶圆良率提升 10% 以上；

• PCB 蚀刻补加：药剂浓度稳定，线路线宽误差降低，蚀刻母液更换周期延长 30%；

• 锂电电解液小试：无水无氧稳定输送，配方数据重复性高，小试数据可直接放大中试；

• 微量试剂灌装：IVD、半导体检测试剂分装误差符合电子级纯度标准，无批次浓度偏差。